Наши публикации

Atomistic simulation of the glancing angle deposition of SiO2 thin films

Grigoriev F.V., Sulimov V.B., Tikhonravov A.V.

Визуализация наноразмерных пор в атомистической структуре тонких пленок

Лагутин Ю.С., Лагутина А.А., Григорьев Ф.В., Сулимов В.Б., Тихонравов А.В.

High-performance atomistic modeling of optical thin films deposited by energetic processes

Grigoriev F.V., Sulimov A.V., Kochikov I.V., Kondakova O.A., Sulimov V.B., Tikhonravov A.V.

Simple combined explicit/implicit water model

Grigoriev F.V., Sulimov V.B.

Estimation of Bi+ monocation crystal ionic radius by quantum chemical simulation

Romanov A.N., Grigoriev F.V., Sulimov V.B.

Full-atomistic nanoscale modeling of the ion beam sputtering deposition of SiO2 thin films

Grigoriev F.V., Sulimov A.V., Katkova E.V., Kochikov I.V., Kondakova O.A., Sulimov V.B., Tikhonravov A.V.

Quantum-chemical modeling of the effect of a continuous random network on stabilization of charged and neutral defects in a-S

Grigoriev F.V.

Structure of Highly Porous Silicon Dioxide Thin Film: Results of Atomistic Simulation

Grigoriev F.V., Sulimov V.B., Tikhonravov A.V.

Atomistic Simulation of Stresses in Growing Silicon Dioxide Films

Grigoriev Fedor V., Sulimov Vladimir B., Tikhonravov Alexander V.

Пространственные и временные эффекты при осаждении частиц на тонкие пленки диоксида кремния, получаемые с использованием высокоэнергетических процессов напыления

Григорьев Ф.В., Сулимов В.Б., Кондакова О.А., Кочиков И.В., Тихонравов А.В.

Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 13
- 14
- 15
- 16
- 17
- 18
- 19
- 20
- 21
- …
- следующая ›
- последняя »

Контакты
119234, Российская Федерация, Москва, ГСП-1, Ленинские горы, дом 1, стр. 4, НИВЦ МГУ
+7 495 939-5424,
Подробнее

Новое на сайте

Конференция «Программирование и вычислительная математика», посвященная 100-летию со дня рождения Н.П. Трифонова, 3 декабря 2025 г.
18 ноября 2025

Cеминар "Математическое моделирование геофизических процессов: прямые и обратные задачи", 20 ноября 2025 г.
17 ноября 2025

Семинар "Математическое моделирование геофизических процессов: прямые и обратные задачи", 13 ноября 2025 г.
07 ноября 2025

ОБЛАКО ТЕГОВ
3D изображения 270-летие Московского университета 300 лет РАН Земная система Ломоносовские чтения Минобрнауки Научная Россия Научно-методологический семинар НИВЦ МГУ РНФ Российский научный фонд Семинар Фонд автоматическое реферирование анализ информационных ресурсов аспиранты и студенты благодарность влияние климата вычислительно-информационные технологии вычислительные методы геофизические процессы государственная награда грант защита диссертации интервью информационные системы информационные технологии климатическая система компьютерная лингвистика конгресс конкурс конкурс РНФ конкурс статей конкурсы президенские конференция лекция марафон математическое моделирование международная конференция методы машинного обучения моделирование Земной системы молекулярное моделирование молекулярный докинг молодежный конкурс молодые сотрудники молодые ученые награждение наука наука и образование научный журнал научный конкурс образование параллельные вычисления персонализированная медицина почетная грамота премия премия Ломоносова производство лекарств промышленность публикация стипендия супекомпютер суперкомпьютер суперкомпьютерное моделирование суперкомпьютерные дни суперкомпьютерные технологии суперкомпьютерный комплекс суперкомпьютерный центр МГУ ученый совет цифровизация школа школа-семинар экология экспериментальная лингвистика эстафета

Все материалы сайта НИВЦ МГУ доступны по лицензии:

Creative Commons Attribution 4.0 International

Наши публикации

Atomistic simulation of the glancing angle deposition of SiO2 thin films

Визуализация наноразмерных пор в атомистической структуре тонких пленок

High-performance atomistic modeling of optical thin films deposited by energetic processes

Simple combined explicit/implicit water model

Estimation of Bi+ monocation crystal ionic radius by quantum chemical simulation

Full-atomistic nanoscale modeling of the ion beam sputtering deposition of SiO2 thin films

Quantum-chemical modeling of the effect of a continuous random network on stabilization of charged and neutral defects in a-S

Structure of Highly Porous Silicon Dioxide Thin Film: Results of Atomistic Simulation

Atomistic Simulation of Stresses in Growing Silicon Dioxide Films

Страницы

Новости

Журнал НИВЦ

Контакты

Новое на сайте

Наши публикации

Atomistic simulation of the glancing angle deposition of SiO2 thin films

Визуализация наноразмерных пор в атомистической структуре тонких пленок

High-performance atomistic modeling of optical thin films deposited by energetic processes

Simple combined explicit/implicit water model

Estimation of Bi+ monocation crystal ionic radius by quantum chemical simulation

Full-atomistic nanoscale modeling of the ion beam sputtering deposition of SiO2 thin films

Quantum-chemical modeling of the effect of a continuous random network on stabilization of charged and neutral defects in a-S

Structure of Highly Porous Silicon Dioxide Thin Film: Results of Atomistic Simulation

Atomistic Simulation of Stresses in Growing Silicon Dioxide Films

Страницы

Новости

Журнал НИВЦ

Контакты

Новое на сайте

ОБЛАКО ТЕГОВ