Проект направлен на разработку новых методов решения обратных задач, связанных с созданием наиболее сложных многослойных покрытий для оптики и оптоэлектроники, и на суперкомпьютерное моделирование процессов роста тонких пленок и покрытий. Первое направление имеет большое прикладное значение, поскольку исследования по нему направлены на разработку эффективных методов контроля процессов напыления покрытий с большим числом слоев. Разработка методов решения обратных задач имеет принципиальное значение для создания новых прорывных элементов оптических и оптоэлектронных технологий. Второе направление имеет фундаментальное значение для понимания процессов получения тонких пленок и покрытий и, в конечном итоге, также способствует развитию прорывных современных технологий.
При выполнении проекта с помощью суперкомпьютерного атомистического молекулярно-динамического моделирования исследована зависимость величин напряжений в пленках диоксида кремния от их толщины на начальной стадии роста пленки. Показано, что в плотных пленках, полученных нормальным осаждением, напряжение является сжимающим и незначительно изменяется с ростом толщины пленки. Напряжение в пористых пленках, напыленных под большим углом между направлением потока атомов и нормалью к поверхности, в несколько раз ниже, чем напряжение в плотных пленках, изменяется от напряжения сжатия до напряжения растяжения с увеличением толщины пленки. Выявлена существенная анизотропия компонент тензора напряжений для пористых пленок.
Разработан комбинированный метод исследования оптической анизотропии пористых тонких пленок, полученных осаждением под большим углом между направлением потока осаждаемых атомов и нормалью к поверхности. Метод применен к расчету параметров структурной и оптической анизотропии пленок стеклообразного диоксида кремния и диоксида титана.
Разработаны принципиально новые нелокальные алгоритмы решения обратных задач контроля толщин слоев напыляемых многослойных покрытий. Эти алгоритмы названы нелокальными поскольку в отличие от традиционных алгоритмов они используют всю экспериментальную информацию, накапливаемую в процессе напыления слоев покрытий. Это позволяет существенно повысить устойчивость решения обратных задач с использованием новых алгоритмов.
Впервые исследована корреляция ошибок в толщинах слоев при монохроматическом контроле процессов напыления многослойных оптических покрытий. Показано, что корреляция ошибок сильно зависит от выбора алгоритма, используемого для определения времени остановки напыления очередного слоя покрытия. Для оценки степени коррелированности ошибок предложен подход, развивающий идеи, использованные ранее при исследовании корреляции ошибок в системах напыления с широкополосным оптическим контролем.
119234, Российская Федерация, Москва, ГСП-1, Ленинские горы, дом 1, стр. 4, НИВЦ МГУ
+7 495 939-5424,
Подробнее
Все материалы сайта НИВЦ МГУ доступны по лицензии: